IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
減少半導體元件產生淺溝渠隔離凹陷效應之方法
上海宏力半導體製造有限公司
申請案號
091136079
公告號
200410359
申請日期
2002-12-13
申請人
上海宏力半導體製造有限公司
發明人
蔡孟錦
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/76
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
減少半導體元件產生淺溝渠隔離凹陷效應之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通