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具有埋設金屬矽化物位元線之金屬氧氮氧半導體（ＭＯＮＯＳ）裝置

賽普拉斯半導體公司

申請案號
091136467
公告號
200400588
申請日期
2002-12-18
申請人
賽普拉斯半導體公司
發明人
小倉壽典
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/76
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具有埋設金屬矽化物位元線之金屬氧氮氧半導體（ＭＯＮＯＳ）裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通