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專利資訊
具凹陷通道之金氧半場效應電晶體之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
091136749
公告號
200411832
申請日期
2002-12-19
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
卡羅司
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8238
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