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蝕刻在大部份形成在砷化鎵層和銦鎵磷化物(InxGa1-xP)層之間的銦鎵砷磷化物(InGaAsP)上的四元介面層的化學
飛思卡爾半導體公司
申請案號
091136803
公告號
200305212
申請日期
2002-12-20
申請人
飛思卡爾半導體公司
發明人
馬力安G 沙達卡
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/306
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