IPC H01L21/306 專利列表
共 217 筆結果
使用一液槽對矽晶圓進行一個面的濕式化學處理的方法
雷納公司
案號 0931079312004-03-24IPC H01L21/306
基板化學處理用之處理系統及方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931070482004-03-17IPC H01L21/3065
用於應變矽製程之淺溝隔離
格羅方德半導體公司
案號 0931066242004-03-12IPC H01L21/306
形成金屬鑲嵌結構的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931066342004-03-12IPC H01L21/3065
使用乾蝕刻將藍寶石晶圓分成晶片之方法
三星電機股份有限公司
案號 0931066232004-03-12IPC H01L21/3065
溝槽隔離構造之形成方法
ＡＺ電子材料股份有限公司
案號 0931056452004-03-04IPC H01L21/306
具金屬互連配線之基板之洗淨裝置
荏原製作所股份有限公司
案號 0931055032004-03-03IPC H01L21/306
隔離溝槽之結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931045562004-02-24IPC H01L21/306
在半導體基底內形成深溝之方法及複合式硬罩
南亞科技股份有限公司
案號 0931041722004-02-20IPC H01L21/306
清潔方法
新力股份有限公司
案號 0931041272004-02-19IPC H01L21/306
製造半導體裝置的方法及設備
東部電子股份有限公司
案號 0931039852004-02-18IPC H01L21/3063
液相蝕刻方法及液相蝕刻裝置
松下電器產業股份有限公司
案號 0931039732004-02-18IPC H01L21/306
淺溝渠隔離結構及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0931037012004-02-17IPC H01L21/306
電漿處理單元及高頻電力供應單元
東京威力科創股份有限公司
案號 0931032022004-02-11IPC H01L21/3065
於電漿加工系統中蝕刻時減低光阻扭變的方法
泛林股份有限公司
案號 0931030862004-02-10IPC H01L21/3065
氫氟酸處理系統與方法
友達光電股份有限公司
案號 0931025882004-02-05IPC H01L21/306
電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極板及電極板製造方法
歐克科技股份有限公司
案號 0931024292004-02-03IPC H01L21/3063
分時多工的蝕刻製程中之終點偵測
尤那西斯美國公司
案號 0931023812004-02-03IPC H01L21/3065
濕式蝕刻機化學混合系統
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931021132004-01-30IPC H01L21/306
利用二氧化碳之乾浸沒式微影方法
美國北卡羅利那大學
案號 0931021662004-01-30IPC H01L21/306