IP

具有包含溝槽蝕刻形成的摻雜柱及相反摻雜的多晶矽之擴散形成區的高壓固持區之高壓電力MOSFET

通用半導體股份有限公司

申請案號
091137181
公告號
200302575
申請日期
2002-12-24
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
理查 布蘭查
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

具有包含溝槽蝕刻形成的摻雜柱及相反摻雜的多晶矽之擴散形成區的高壓固持區之高壓電力MOSFET - 專利資訊 | NowTo 智財通