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IPC H01L29/36 專利列表

共 4 筆結果

形成一半導體裝置之方法及其結構

半導體組件工業公司

案號 0921156902003-06-10IPC H01L29/36

具有輕摻雜汲極之金氧半導體結構及其製作方法

南亞科技股份有限公司

案號 0921139662003-05-23IPC H01L29/36

半導體裝置及其製造方法（一）

富士通半導體股份有限公司

案號 0921089452003-04-17IPC H01L29/36

具有包含溝槽蝕刻形成的摻雜柱及相反摻雜的多晶矽之擴散形成區的高壓固持區之高壓電力ＭＯＳＦＥＴ

通用半導體股份有限公司

案號 0911371812002-12-24IPC H01L29/36

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