IP

自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法

華瑞股份有限公司

申請案號
091137379
公告號
200411780
申請日期
2002-12-25
申請人
華瑞股份有限公司
發明人
涂高維
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/335
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通