IPC H01L21/335 專利列表
共 10 筆結果
低閘極引發汲極漏電流金屬氧化半導體場效應電晶體之結構及其製造方法
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0931005912004-01-09IPC H01L21/335
金氧半導體元件及其製造方法
漢磊科技股份有限公司
案號 0921359052003-12-18IPC H01L21/335
閘極電極及其製造方法，以及半導體裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921214562003-08-06IPC H01L21/335
半導體裝置
新力股份有限公司
案號 0921191472003-07-14IPC H01L21/335
自對準奈米管場效電晶體及其製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921040502003-02-26IPC H01L21/335
半導體裝置之製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380082002-12-31IPC H01L21/335
自我對準溝渠式功率金氧半場效電晶體（ＭＯＳＦＥＴ）裝置及其製造方法
華瑞股份有限公司
案號 0911373792002-12-25IPC H01L21/335
具有包括由溝槽蝕刻及離子佈植所形成的摻雜列的電壓維持區域的高電壓功率ＭＯＳＦＥＴ
通用半導體股份有限公司
案號 0911371782002-12-24IPC H01L21/335
電晶體製造方法
東部電子股份有限公司
案號 0911367452002-12-19IPC H01L21/335
半導體元件之短通道電晶體的製造方法
東部電子股份有限公司
案號 0911364462002-12-17IPC H01L21/335