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絕緣層埋入型半導體碳化矽基板的製造方法及其製造裝置

愛沃特股份有限公司

申請案號
091137731
公告號
200306627
申請日期
2002-12-27
申請人
愛沃特股份有限公司
發明人
泉勝俊
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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