IPC H01L21/31 專利列表
共 178 筆結果
電漿表面處理系統以及電漿表面處理方法
新力股份有限公司
案號 0931080992004-03-25IPC H01L21/31
金屬氧化膜之形成方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931080142004-03-24IPC H01L21/316
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931077592004-03-23IPC H01L21/31
可改善對準精確度之半導體製程
南亞科技股份有限公司
案號 0931076452004-03-22IPC H01L21/318
絕緣層覆矽結構及其製程
中美矽晶製品股份有限公司
案號 0931071822004-03-17IPC H01L21/31
於低Ｋ值介電質上之無氮硬罩幕
應用材料股份有限公司
案號 0931070162004-03-16IPC H01L21/311
開口的形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931068002004-03-15IPC H01L21/318
藉由多孔矽工程的圖案化絕緣體上的矽／氣孔上的矽混合結構之形成
萬國商業機器公司
案號 0931062242004-03-09IPC H01L21/314
微影裝置及元件製造方法
ＡＳＭＬ荷蘭公司
案號 0931062612004-03-09IPC H01L21/31
形成多孔性膜用之組成物、多孔性膜及其製法、內絕緣膜、及半導體裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0931061982004-03-09IPC H01L21/316
形成電阻結構之方法
高級微裝置公司
案號 0931058502004-03-05IPC H01L21/31
形成半導體元件之方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931059772004-03-05IPC H01L21/31
旋塗材料層之平坦化方法及光阻層之製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931058172004-03-05IPC H01L21/3105
遮罩、遮罩之製造方法、遮罩之製造裝置
智基石盾科技有限責任公司
案號 0931053112004-03-01IPC H01L21/31
用於製造合併半導體裝置之方法
美格納半導體有限公司
案號 0931051702004-02-27IPC H01L21/316
半導體裝置及半導體裝置之製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931045522004-02-24IPC H01L21/31
基板處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931037992004-02-17IPC H01L21/318
避免在氧化區表面所生成之矽鍺層有不連續情形之方法，以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931029092004-02-09IPC H01L21/31
切割粘晶膠帶
古河電氣工業股份有限公司
案號 0931024562004-02-04IPC H01L21/312
半導體裝置之製造方法及半導體基板之氧化方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931017052004-01-27IPC H01L21/31