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金屬氧化物半導體(MOS)電晶體及其製造方法

海力士半導體股份有限公司

申請案號
091138012
公告號
200307347
申請日期
2002-12-31
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
孫容宣
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8238
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金屬氧化物半導體(MOS)電晶體及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通