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矽絕緣層(SOI)晶圓的製造方法以及矽絕緣層(SOI)晶圓

信越半導體股份有限公司

申請案號
092100182
公告號
200301936
申請日期
2003-01-06
申請人
信越半導體股份有限公司
發明人
中野正剛
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/31
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矽絕緣層(SOI)晶圓的製造方法以及矽絕緣層(SOI)晶圓 - 專利資訊 | NowTo 智財通