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用以製造應變矽互補式金屬氧化物半導體應用之高品質鬆弛絕緣層上矽鍺之方法
美商格芯(美國)集成電路科技有限公司
申請案號
092101466
公告號
200307348
申請日期
2003-01-23
申請人
美商格芯(美國)集成電路科技有限公司
發明人
史帝文W 貝德爾
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8238
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