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專利資訊
氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法
莎姆克股份有限公司
申請案號
092101544
公告號
200303051
申請日期
2003-01-24
申請人
莎姆克股份有限公司
發明人
平本道廣
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/3065
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