IP

氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法

莎姆克股份有限公司

申請案號
092101544
公告號
200303051
申請日期
2003-01-24
申請人
莎姆克股份有限公司
發明人
平本道廣
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

氮化鎵系化合物半導體等之乾蝕刻方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通