IPC H01L21/3065 專利列表
共 120 筆結果
基板化學處理用之處理系統及方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931070482004-03-17IPC H01L21/3065
使用乾蝕刻將藍寶石晶圓分成晶片之方法
三星電機股份有限公司
案號 0931066232004-03-12IPC H01L21/3065
形成金屬鑲嵌結構的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931066342004-03-12IPC H01L21/3065
電漿處理單元及高頻電力供應單元
東京威力科創股份有限公司
案號 0931032022004-02-11IPC H01L21/3065
於電漿加工系統中蝕刻時減低光阻扭變的方法
泛林股份有限公司
案號 0931030862004-02-10IPC H01L21/3065
分時多工的蝕刻製程中之終點偵測
尤那西斯美國公司
案號 0931023812004-02-03IPC H01L21/3065
製造閘極結構及藉其製造半導體裝置之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931013252004-01-19IPC H01L21/3065
利用高溫含氫電漿由處理室及晶圓表面移除物質的方法與設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0931010112004-01-15IPC H01L21/3065
管理半導體製造設備之方法及管理半導體生產線的系統
川崎微電子股份有限公司
案號 0931008102004-01-13IPC H01L21/3065
小間隙電漿電極定位及晶圓傳輸方法及其裝置
財團法人工業技術研究院
案號 0921364752003-12-23IPC H01L21/3065
製造用於電磁裝置的通量集中系統之方法
艾爾斯賓科技公司
案號 0921362222003-12-19IPC H01L21/3065
用以製作小特徵之半導體製造方法
恩智浦美國公司
案號 0921352222003-12-12IPC H01L21/3065
選擇性磊晶成長製程前表面預處理方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921351232003-12-12IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及電漿處理方法
液晶先端技術開發中心股份有限公司
案號 0921339442003-12-02IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及方法以及電漿處理裝置之電極板
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332342003-11-26IPC H01L21/3065
電漿處理裝置及方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921332372003-11-26IPC H01L21/3065
微電子結構之製造方法及由彼所製得的微電子結構
英特爾股份有限公司
案號 0921311052003-11-06IPC H01L21/3065
多層膜材料之乾式蝕刻方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921304392003-10-31IPC H01L21/3065
電漿蝕刻製程終點偵測方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294152003-10-23IPC H01L21/3065
利用終點信號以決定蝕刻特性的方法及設備
東京威力科創股份有限公司
案號 0921294142003-10-23IPC H01L21/3065