IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法
億恒科技公司
申請案號
092102539
公告號
200303086
申請日期
2003-02-07
申請人
億恒科技公司
發明人
喬翰 艾爾斯米爾
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L27/108
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通