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具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法

億恒科技公司

申請案號
092102539
公告號
200303086
申請日期
2003-02-07
申請人
億恒科技公司
發明人
喬翰 艾爾斯米爾
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有溝渠及平面選擇電晶體之半導體記憶體單元及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通