IPC H01L27/108 專利列表
共 76 筆結果
一動態隨機存取記憶體之陣列結構、光罩以及其製作方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931084812004-03-29IPC H01L27/108
埋入式電容器介層窗之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931065412004-03-11IPC H01L27/108
具有迴路式圖案結構且可結合交替式相移光罩之記憶體裝置以及製造該記憶體裝置的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931060112004-03-08IPC H01L27/108
雙電晶體之結構及系統晶片集成以及用於溝渠技術之雙電容記憶體單元
萬國商業機器公司
案號 0931044912004-02-23IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931042922004-02-20IPC H01L27/108
無須改變輸入端子電容即可調整輪入電阻之半導體裝置
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931036142004-02-16IPC H01L27/108
用於嵌入式動態隨機存取記憶體之自行對準金屬／絕緣體／金屬（ＭＩＭ）電容器之製造方法及其所生產之半導體裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931033822004-02-12IPC H01L27/108
同層製造「金屬-絕緣層-金屬電容器」與電阻器之方法
萬國商業機器公司
案號 0931000532004-01-02IPC H01L27/108
具有溝槽電容器之半導體裝置及製造該裝置之方法
東芝股份有限公司
案號 0921374732003-12-30IPC H01L27/108
驅動非揮發性動態隨機存取記憶體的裝置以及方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373072003-12-29IPC H01L27/108
半導體裝置、動態式半導體記憶裝置以及半導體裝置的製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921355032003-12-16IPC H01L27/108
電容介電層結構及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921350902003-12-11IPC H01L27/108
溝渠電容之絕緣結構及其製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921328142003-11-21IPC H01L27/108
高性能垂直式ＰＮＰ電晶體及方法
萬國商業機器公司
案號 0921325592003-11-20IPC H01L27/108
製作閘極之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921325482003-11-20IPC H01L27/108
動態隨機存取記憶胞及其製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921317572003-11-13IPC H01L27/108
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921302042003-10-30IPC H01L27/108
具有電容器之半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921295252003-10-24IPC H01L27/108
使用絕緣Ｐ型井電晶體排列以避免由字元線／位元線短路所引起之漏電流
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921290602003-10-20IPC H01L27/108
半導體裝置
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921271492003-10-01IPC H01L27/108