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具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元、其製造方法以及讀取其記憶狀態之方法

力晶半導體股份有限公司

申請案號
092103059
公告號
200415781
申請日期
2003-02-14
申請人
力晶半導體股份有限公司
發明人
黃丘宗
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有寄生放大器之二位元氮化物唯讀記憶單元、其製造方法以及讀取其記憶狀態之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通