IPC H01L27/112 專利列表
共 32 筆結果
積體電路之佈局及製造方法
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0931045892004-02-24IPC H01L27/112
可微縮化偶對疊堆閘快閃細胞元結構及其無接點非或型快閃記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0931014752004-01-20IPC H01L27/112
三維多晶矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921344632003-12-05IPC H01L27/112
高密度唯讀記憶體單元
智原科技股份有限公司
案號 0921333002003-11-27IPC H01L27/112
記憶體核心及其存取方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921301802003-10-30IPC H01L27/112
高密度ＮＲＯＭ-ＦＩＮＦＥＴ
億恆科技股份公司
案號 0921233282003-08-25IPC H01L27/112
非揮發性記憶體陣列結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921224182003-08-14IPC H01L27/112
非揮發半導儲存元件及其製造與控制方法
億恆科技股份公司
案號 0921220382003-08-11IPC H01L27/112
非揮發性半導體記憶體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921185462003-07-08IPC H01L27/112
無溝槽隔離轉角的非揮發性記憶體結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921183112003-07-04IPC H01L27/112
三維立體記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921170882003-06-24IPC H01L27/112
埋入式位元線之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921141232003-05-26IPC H01L27/112
隔離式非揮發記憶細胞元結構及其無接點非揮發記憶陣列
矽基科技股份有限公司
案號 0921131522003-05-15IPC H01L27/112
半導體積體電路裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921123042003-05-06IPC H01L27/112
使用單多晶矽互補式金屬氧化半導體製程之選擇熔絲電路
力旺電子股份有限公司
案號 0921097942003-04-25IPC H01L27/112
使用單一電晶體之高密度半導體記憶胞與記憶陣列
美商賽諾西斯公司
案號 0921098132003-04-25IPC H01L27/112
非揮發性記憶元件的結構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921086132003-04-15IPC H01L27/112
氮化矽唯讀記憶體及其製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921067442003-03-26IPC H01L27/112
具高介電物質之矽／氧化物／氮化物／氧化物／矽元件架構
旺宏電子股份有限公司
案號 0921059992003-03-19IPC H01L27/112
一種半導體記憶裝置
力旺電子股份有限公司
案號 0921043222003-02-27IPC H01L27/112