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形成氮化層間隙壁之兩階段氮化矽蝕刻

茂德科技股份有限公司

申請案號
092103170
公告號
200402102
申請日期
2003-02-14
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
芭芭拉哈薩爾登
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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形成氮化層間隙壁之兩階段氮化矽蝕刻 - 專利資訊 | NowTo 智財通