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非揮發性積體記憶體元件內之內多晶矽氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子層沈積作用

台灣茂矽電子股份有限公司

申請案號
092103342
公告號
200414443
申請日期
2003-02-18
申請人
台灣茂矽電子股份有限公司
發明人
章昌台
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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非揮發性積體記憶體元件內之內多晶矽氧化物(INTERPOLY OXIDES)的原子層沈積作用 - 專利資訊 | NowTo 智財通