IP

適於使用在長波垂直空腔表面發射隧道接合面之碳摻雜GaAsSb

斐尼莎公司

申請案號
092103650
公告號
200304173
申請日期
2003-02-21
申請人
斐尼莎公司
發明人
權豪基
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

適於使用在長波垂直空腔表面發射隧道接合面之碳摻雜GaAsSb - 專利資訊 | NowTo 智財通