IPC H01L21/205 專利列表
共 103 筆結果
薄膜形成裝置之洗淨方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931079672004-03-24IPC H01L21/205
半導體結晶成長方法及其積層構造與半導體元件
獨立行政法人科學技術振興機構
案號 0931072112004-03-18IPC H01L21/205
金屬線間之溝填方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931059822004-03-05IPC H01L21/205
用於奈米電子元件之具有改良機械與電子性質的調整／複合化學氣相沉積低Ｋ（介電常數）膜
應用材料股份有限公司
案號 0931056102004-03-03IPC H01L21/205
藉由ＵＶ曝光而提昇緻密及多孔有機矽酸鹽材料之機械性質的方法
慧盛材料美國責任有限公司
案號 0931053312004-03-01IPC H01L21/205
超低Ｋ值（ＵＬＫ）ＳｉＣＯＨ薄膜及製法
英屬開曼群島商格芯公司
案號 0931051732004-02-27IPC H01L21/205
三甲基銦的填充方法及填充容器
東曹精細化學股份有限公司
案號 0931030762004-02-10IPC H01L21/205
處理被處理基板之半導體處理方法及裝置
東京威力科創股份有限公司
案號 0931026522004-02-05IPC H01L21/205
在被處理基板上形成氮化矽膜之ＣＶＤ方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0931016222004-01-20IPC H01L21/205
低壓化學氣相沉積設備中減少微粒的方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921374312003-12-30IPC H01L21/205
有機絕緣膜及其製造方法、與利用此有機絕緣膜之半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921375292003-12-30IPC H01L21/205
絕緣層之平坦化方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921375322003-12-30IPC H01L21/205
形成具有微晶粒之多晶矽層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921322232003-11-18IPC H01L21/205
單結晶氮化鎵局部化之基板及其製造方法
大阪府
案號 0921305412003-10-31IPC H01L21/205
熱處理裝置及熱處理方法
東京威力科創股份有限公司
案號 0921302532003-10-30IPC H01L21/205
填充間隙的方法與淺溝渠隔離結構的製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921290932003-10-21IPC H01L21/205
薄膜形成裝置，薄膜形成方法及薄膜形成系統
石川島播磨重工業股份有限公司
案號 0921288072003-10-17IPC H01L21/205
用於半導體室中之氟熱啟動
ＢＯＣ集團公司
案號 0921288512003-10-17IPC H01L21/205
電子元件、其製造方法以及電漿處理裝置
夏普股份有限公司
案號 0921286982003-10-16IPC H01L21/205
一種應變鬆弛矽鍺磊晶層之製造方法及其結構
財團法人工業技術研究院
案號 0921287442003-10-16IPC H01L21/205