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在半導體裝置之不同含矽區域形成不同矽化物部分之方法

高級微裝置公司

申請案號
092103986
公告號
200303587
申請日期
2003-02-26
申請人
高級微裝置公司
發明人
卡思頓 維坷而格
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在半導體裝置之不同含矽區域形成不同矽化物部分之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通