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高介電常數之閘極介電層與改善閘極介電層之電性的方法以及具有高介電常數之閘極介電層的金氧半電晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092104384
公告號
200418125
申請日期
2003-03-03
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
林友民
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/76
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