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氮化鎵系化合物半導體之磊晶結構及其製作方法

崇越科技股份有限公司

申請案號
092104899
公告號
200418109
申請日期
2003-03-07
申請人
崇越科技股份有限公司
發明人
賴穆人
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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