IPC H01L21/36 專利列表
共 10 筆結果
可調式準直器與具有此種可調式準直器之濺鍍設備
國立交通大學
案號 0931060072004-03-08IPC H01L21/363
半導體裝置
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921362572003-12-19IPC H01L21/36
圖案化方法
精工愛普生股份有限公司
案號 0921201292003-07-23IPC H01L21/368
化學氣相沉積反應系統
應用材料股份有限公司
案號 0921170292003-06-23IPC H01L21/365
薄膜及使用等徑轉角擠型（ＥＣＡＥ）標靶形成薄膜之方法
哈尼威爾國際公司
案號 0921147702003-05-30IPC H01L21/363
低溫多晶矽薄膜的製造方法
友達光電股份有限公司
案號 0921070612003-03-28IPC H01L21/36
氮化鎵系化合物半導體之磊晶結構及其製作方法
崇越科技股份有限公司
案號 0921048992003-03-07IPC H01L21/36
無電電鍍系統
應用材料股份有限公司
案號 0911372112002-12-24IPC H01L21/36
以電漿輔助製程形成釕薄膜的方法
周星工程股份有限公司
案號 0911364122002-12-17IPC H01L21/36
形成含釕薄層之方法
三星電子股份有限公司
案號 0911331262002-11-12IPC H01L21/363