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高K介電薄層及其形成方法

恩智浦美國公司

申請案號
092105614
公告號
200305936
申請日期
2003-03-14
申請人
恩智浦美國公司
發明人
比奇 言 恩古顏
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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高K介電薄層及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通