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形成具有非線性延伸浮動閘極之浮動閘極記憶體晶胞之半導體記憶陣列的自動校準方法及由此方法製成之記憶陣列
希里康儲存技術公司
申請案號
092105821
公告號
200401408
申請日期
2003-03-17
申請人
希里康儲存技術公司
發明人
索拉伯 凱尼恩
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8238
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