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具有以單一離子佈植步驟形成之摻雜柱形區的電壓維持區的功率半導體裝置

通用半導體股份有限公司

申請案號
092105928
公告號
200305970
申請日期
2003-03-18
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
理查 布蘭查
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有以單一離子佈植步驟形成之摻雜柱形區的電壓維持區的功率半導體裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通