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形成具有埋覆式源極線與浮閘的浮閘記憶體晶胞之半導體記憶體陣列的自動校準方法與由此方法製得之記憶體陣列

希里康儲存技術公司

申請案號
092105958
公告號
200306001
申請日期
2003-03-18
申請人
希里康儲存技術公司
發明人
胡耀文
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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形成具有埋覆式源極線與浮閘的浮閘記憶體晶胞之半導體記憶體陣列的自動校準方法與由此方法製得之記憶體陣列 - 專利資訊 | NowTo 智財通