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能減少從基板延伸出來之微管的SiC結晶的製造方法、SiC結晶、SiC單結晶膜、SiC半導體元件、SiC單結晶基板及電子裝置、以及SiC大結晶之製造方法

財團法人電力中央研究所

申請案號
092106064
公告號
200307064
申請日期
2003-03-19
申請人
財團法人電力中央研究所
發明人
鎌田功穗
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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能減少從基板延伸出來之微管的SiC結晶的製造方法、SiC結晶、SiC單結晶膜、SiC半導體元件、SiC單結晶基板及電子裝置、以及SiC大結晶之製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通