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IPC C30B25/20 專利列表

共 1 筆結果

能減少從基板延伸出來之微管的ＳiC結晶的製造方法、ＳｉＣ結晶、ＳｉＣ單結晶膜、ＳｉＣ半導體元件、ＳｉＣ單結晶基板及電子裝置、以及ＳｉＣ大結晶之製造方法

財團法人電力中央研究所

案號 0921060642003-03-19IPC C30B25/20

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