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使用襯層氧化物植入以防止摻雜質自延伸部分離之方法

格羅方德半導體公司

申請案號
092106269
公告號
200305940
申請日期
2003-03-21
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
魏安迪 C
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用襯層氧化物植入以防止摻雜質自延伸部分離之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通