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局部空乏載矽絕緣體型金氧場效電晶體遲滯控制之源極側疊置缺陷主體連結之方法

高級微裝置公司

申請案號
092106270
公告號
200305252
申請日期
2003-03-21
申請人
高級微裝置公司
發明人
魏安迪 C
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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局部空乏載矽絕緣體型金氧場效電晶體遲滯控制之源極側疊置缺陷主體連結之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通