IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件,及製造此半導體元件之方法
格羅方德半導體公司
申請案號
092106464
公告號
200307346
申請日期
2003-03-24
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
馬克 B 佛賽勒
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8232
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件,及製造此半導體元件之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通