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形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件,及製造此半導體元件之方法

格羅方德半導體公司

申請案號
092106464
公告號
200307346
申請日期
2003-03-24
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
馬克 B 佛賽勒
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件,及製造此半導體元件之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通