IPC H01L21/8232 專利列表
共 16 筆結果
奈米碳管之圖騰形成方法
東元奈米應材股份有限公司
案號 0931015562004-01-20IPC H01L21/8232
包含多個具有不同間隙壁之場效電晶體的半導體元件結構
萬國商業機器公司
案號 0921283292003-10-13IPC H01L21/8232
半導體元件之源極阻抗的降低方法
富士通股份有限公司
案號 0921263992003-09-24IPC H01L21/8232
具低閘極阻值之功率電晶體結構及其製造方法
富鼎先進電子股份有限公司
案號 0921241392003-09-01IPC H01L21/8232
奈米碳管電晶體之製造方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921228532003-08-20IPC H01L21/8232
製造場效應電晶體之刻痕閘極結構的方法
應用材料股份有限公司
案號 0921200202003-07-22IPC H01L21/8232
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921178142003-06-30IPC H01L21/8232
在玻璃基板上製作單晶矽薄膜電晶體之方法
國立交通大學
案號 0921146252003-05-29IPC H01L21/8232
製造電晶體之方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921086302003-04-15IPC H01L21/8232
具有均勻摻雜的通道與邊緣終止技術的低電壓高密度的溝槽式閘通功率裝置及方法
菲爾恰爾半導體公司
案號 0921080532003-04-08IPC H01L21/8232
形成於多厚度埋置氧化層上之半導體元件，及製造此半導體元件之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921064642003-03-24IPC H01L21/8232
使用多層阻抗堆疊製造層疊結構之方法及其使用
飛思卡爾半導體公司
案號 0921035272003-02-20IPC H01L21/8232
形成半導體裝置之電晶體之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911380522002-12-31IPC H01L21/8232
一種奈米碳管場發射裝置
鴻海精密工業股份有限公司
案號 0911351182002-12-04IPC H01L21/8232
用以定義源極、汲極及其間之間隙之方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0911347872002-11-29IPC H01L21/8232
製造半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0911343232002-11-26IPC H01L21/8232