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製造非晶金屬氧化物薄膜之方法及製造具有非晶金屬氧化物薄膜之電容元件之方法及半導體裝置
新力股份有限公司
申請案號
092106509
公告號
200305952
申請日期
2003-03-24
申請人
新力股份有限公司
發明人
足立研
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/316
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