IPC H01L21/316 專利列表
共 32 筆結果
金屬氧化膜之形成方法
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931080142004-03-24IPC H01L21/316
形成多孔性膜用之組成物、多孔性膜及其製法、內絕緣膜、及半導體裝置
信越化學工業股份有限公司
案號 0931061982004-03-09IPC H01L21/316
用於製造合併半導體裝置之方法
美格納半導體有限公司
案號 0931051702004-02-27IPC H01L21/316
在半導體裝置中形成穿隧氧化膜之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921371462003-12-26IPC H01L21/316
製造一半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921358032003-12-17IPC H01L21/316
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921336512003-12-01IPC H01L21/316
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921336532003-12-01IPC H01L21/316
半導體裝置製造方法
富士通半導體股份有限公司
案號 0921302942003-10-30IPC H01L21/316
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921277592003-10-07IPC H01L21/316
半導體裝置及製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921270672003-09-30IPC H01L21/316
半導體裝置處理方法
美商英飛凌科技美洲公司
案號 0921269762003-09-30IPC H01L21/316
臭氧處理裝置
住友精密工業股份有限公司
案號 0921262782003-09-24IPC H01L21/316
改善由含鹵素前驅物與其產物所形成之高溫氧化層品質之方法與裝置
台灣茂矽電子股份有限公司
案號 0921242692003-09-02IPC H01L21/316
製造對紫外光具穿透性之氮化矽薄膜的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921214322003-08-05IPC H01L21/316
將矽基材臭氧氧化以形成高Ｋ值閘堆疊之介面層的方法
艾斯摩美國股份有限公司
案號 0921207062003-07-29IPC H01L21/316
氧化膜形成方法、氧化膜形成裝置及電子元件材料
東京威力科創股份有限公司
案號 0921194142003-07-16IPC H01L21/316
無機多孔質膜之形成方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921141172003-05-26IPC H01L21/316
降低後保護層內連線製程之缺陷的方法及結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921137812003-05-21IPC H01L21/316
有機組合物
哈尼威爾國際公司
案號 0921100022003-04-29IPC H01L21/316
低溫氧化矽晶圓之方法及裝置
夏普股份有限公司
案號 0921097692003-04-25IPC H01L21/316