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在嵌刻結構中製造磁性隨機存取記憶體(MRAM)偏置胞元的方法

英飛凌科技股份有限公司

申請案號
092107562
公告號
200307350
申請日期
2003-04-02
申請人
英飛凌科技股份有限公司
發明人
冉恩 寧
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在嵌刻結構中製造磁性隨機存取記憶體(MRAM)偏置胞元的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通