IP

供積體電路應用之低金屬多孔性矽石介電質

哈尼威爾國際公司

申請案號
092108111
公告號
200403764
申請日期
2003-04-09
申請人
哈尼威爾國際公司
發明人
羅傑Y 盧
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

供積體電路應用之低金屬多孔性矽石介電質 - 專利資訊 | NowTo 智財通