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具有溝槽頂端絕緣層之半導體裝置及其形成方法

南亞科技股份有限公司

申請案號
092108626
公告號
200421530
申請日期
2003-04-15
申請人
南亞科技股份有限公司
發明人
陳逸男
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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