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減少埋層接觸帶外擴散之半導體結構、其製造方法以及半導體記憶體裝置的形成方法

南亞科技股份有限公司

申請案號
092108634
公告號
200421531
申請日期
2003-04-15
申請人
南亞科技股份有限公司
發明人
周士衷
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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減少埋層接觸帶外擴散之半導體結構、其製造方法以及半導體記憶體裝置的形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通