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用於非揮發性記憶體之氧│氮│氧介電層製造方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
092109108
公告號
200423288
申請日期
2003-04-18
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
姚俊敏
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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