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使用單多晶矽互補式金屬氧化半導體製程之選擇熔絲電路

力旺電子股份有限公司

申請案號
092109794
公告號
200423385
申請日期
2003-04-25
申請人
力旺電子股份有限公司
發明人
黃崇仁
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用單多晶矽互補式金屬氧化半導體製程之選擇熔絲電路 - 專利資訊 | NowTo 智財通