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具至少部份位於半導體基材溝槽中浮動閘之非揮發性記憶胞元

台灣茂矽電子股份有限公司

申請案號
092110218
公告號
200405556
申請日期
2003-04-30
申請人
台灣茂矽電子股份有限公司
發明人
丁儀
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具至少部份位於半導體基材溝槽中浮動閘之非揮發性記憶胞元 - 專利資訊 | NowTo 智財通