IP

於矽鍺層基底中形成淺溝槽隔離物之方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092112106
公告號
200425388
申請日期
2003-05-02
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
林俊杰
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

於矽鍺層基底中形成淺溝槽隔離物之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通