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專利資訊
於矽鍺層基底中形成淺溝槽隔離物之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092112106
公告號
200425388
申請日期
2003-05-02
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
林俊杰
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/76
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