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用於形成具有低損壞之低電阻率的超淺接面之方法

維瑞安半導體設備公司

申請案號
092112551
公告號
200407943
申請日期
2003-05-08
申請人
維瑞安半導體設備公司
發明人
丹尼爾F 道寧
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於形成具有低損壞之低電阻率的超淺接面之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通