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用於銅鑲嵌式內連線且含有低介電常數介電質的多矽氧化物
特許半導體製造公司
申請案號
092112661
公告號
200406853
申請日期
2003-05-09
申請人
特許半導體製造公司
發明人
黃留
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/4763
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用於銅鑲嵌式內連線且含有低介電常數介電質的多矽氧化物 - 專利資訊 | NowTo 智財通